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PE膜资料

PE保护膜薄膜技术如何

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直流二极溅射的缺点是:溅射参数不易独立控制,放电电流易随气压变化工艺重复性差;基片温升高(数百度),沉积速率较低;靶材必须是良导体。为了克服这些缺点可采取如下措施:设法在10-Pa上真空度产生辉光放电,同时形成满足溅射的高密度等离子体;加强靶的冷却,在减少热辐射的同时,尽量减少或减弱由靶放岀的高速电子对基板的轰击;选择适当的入射离子能量直流偏压溅射就是在直流二极溅射的基础上,在基片上加上一定的直流偏压。若施加的是负偏压,则在薄膜沉积过程中,基片表面将受到气体等离子的轰击,随时可以清除进入薄膜表面的气体,有利于提髙膜的纯度。在沉积前可对基片进行轰击净化表面,从而提高薄膜的附着力。此外,偏压溅射可改变沉积薄膜的结构1.3.3.2三极或四极溅射极直流溅射只能在较高的气压下进行,PE保护膜辉光放电是靠离子轰击阴极所发出的次级电子维持的。如果气压降到13~2.Pa时,则暗区扩大,电子自由程增加等离子密度降低,辉光放电便无法维持。极溅射克服了这一缺点。它是在真空室内附加一个热阴极,可产生电子与阳极产生等离子体。同时使靶材对于该等离子为负电位,用离子体中正离子轰击靶材而进行溅射。三极溅射的电流密度可达2mA/cm2,放电气压可为~o,1Pa放电电压为ooo~2oooV,镀膜速率为二极溅射的两倍。如果再加入一个稳定电极使放电更稳定,称为四极溅射四)极溅射的靶电流主要决定于阳极电流,而不随电压而变。因此,靶电流和靶电压可以独立调解,从而克服了二极溅射的缺点;三极溅射在1ooⅣ到数百伏的靶电压下也能工作;靶电压低,对基片溅射损伤小,适合用来做半导体器件;溅射率可由热阴极发射电流控制,提高了溅射参数的可控性和工艺重复性。极溅射也存在缺点:由于热丝电子发射,难以获得大面积均匀等离子体,不适于镀大工件;不能控制由靶产生的高速电子对基板的轰击,特别是高速溅射情况下,基板的温升较高;灯丝寿命短,也还存在灯丝不纯物对膜的沾染

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